时间：2025/12/28 15:32:09
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KIC7W04FK是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换的电子设备中。这款MOSFET具有高耐压和大电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种功率控制应用。KIC7W04FK采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高效率。
类型：N沟道
漏极-源极电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.2mΩ（典型值可能更低）
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
KIC7W04FK的主要特性包括其低导通电阻，这对于提高功率转换效率至关重要。由于其低Rds(on)，该器件在导通状态下会产生更少的热量，从而减少对散热器的需求。此外，KIC7W04FK具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其能够在高负荷条件下可靠工作。
该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使得器件在保持高性能的同时，还能实现较小的尺寸。KIC7W04FK还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，并且能够在高频操作中保持稳定性能。
为了确保长期可靠性，KIC7W04FK设计有多种保护机制，包括过热保护和过电流保护。这些特性使其非常适合用于要求严苛的工业和汽车应用中。
KIC7W04FK的应用领域非常广泛，包括但不限于：电源供应器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关、逆变器、UPS系统以及各种需要高效功率管理的电子设备。由于其高可靠性和耐用性，它也常被用于汽车电子系统中，如车载充电器和电动车辆的功率控制系统。
IRF150, STP150N4F6, FDP150N40
