SRM20100LM10 时间：2025/11/7 11:30:19 阅读：15

SRM20100LM10是一款由SRM（深圳市芯茂微电子有限公司）生产的高压半桥驱动器芯片，专为高性能电源转换应用设计。该器件集成了高边和低边驱动电路，能够有效控制功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构，广泛应用于开关电源、DC-DC变换器、逆变器以及电机驱动等场景。SRM20100LM10采用先进的BCD工艺制造，具备高耐压、高可靠性与良好的热稳定性，可在恶劣的电气环境中稳定工作。其内部集成自举二极管，减少了外部元件数量，简化了PCB布局，提升了系统整体的可靠性和成本效益。此外，该芯片支持高达500V的电压隔离能力，适用于宽范围输入电压的应用场合。
　　该芯片通常采用SOP-8或类似的小型化封装形式，便于在紧凑空间内实现高密度电源设计。SRM20100LM10还内置多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）等功能，确保在异常工况下自动关闭输出，防止功率器件损坏。通过优化驱动电流能力和传播延迟匹配，该芯片可显著提升系统的转换效率并降低电磁干扰（EMI）。作为一款国产高性能驱动IC，SRM20100LM10在替代进口同类产品方面具有较强的竞争力，尤其适合追求高性价比和本地化供应链保障的应用需求。

参数

类型：高压半桥驱动器
　　工作电压范围：10V ~ 20V
　　峰值输出电流：+/- 1A
　　高边耐压：最高500V
　　驱动方式：自举式高边驱动
　　输入逻辑电平兼容：TTL/CMOS
　　传播延迟：典型值80ns
　　上升时间：典型值25ns
　　下降时间：典型值20ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOP-8

特性

SRM20100LM10具备优异的高边与低边驱动性能，采用自举技术实现高端浮动电源供电，能够在高频开关条件下稳定驱动N沟道功率MOSFET。其内部集成的自举二极管不仅节省了外部分立二极管的成本和空间，还提高了系统的抗浪涌能力和长期运行的可靠性。驱动器的上下管输出之间设有精密的互锁延时（Dead Time Control），有效防止上下桥臂直通短路，从而避免功率器件因击穿而损坏。这种设计特别适用于需要连续高频切换操作的拓扑结构，如LLC谐振变换器、有源钳位反激电源及三相逆变器等。
　　该芯片的输入端具有迟滞特性的施密特触发器设计，增强了对噪声的抑制能力，在复杂电磁环境下仍能保持信号传输的准确性。同时，输入阈值电压经过精确校准，兼容标准TTL和CMOS逻辑电平，方便与各类PWM控制器直接对接。当发生欠压情况时，芯片会自动进入闭锁状态，禁止输出动作，直到供电电压恢复至正常工作区间，这有效防止了低电压状态下驱动能力不足导致的MOSFET非饱和导通问题，进而避免过热烧毁风险。
　　SRM20100LM10还具备出色的温度适应性，内置过温保护功能可在结温超过安全限值时自动关断输出，并在温度回落至安全范围后恢复正常工作，形成闭环保护机制。此功能极大增强了系统在重载、通风不良或环境高温下的鲁棒性。此外，该芯片采用高绝缘耐压设计，支持高共模瞬态抗扰度（CMTI > 50kV/μs），即使在快速电压跳变的环境中也能保证信号完整性。综合来看，SRM20100LM10以其高度集成化、高可靠性和优良的动态响应特性，成为现代高效电源系统中理想的半桥驱动解决方案。