型号：SRM20100LLTM85
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：12A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：48A
　　导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：13.5mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1350pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8L
　　安装类型：Surface Mount

SRM20100LLTM85采用先进的沟道结构设计与Trench工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能。其典型RDS(on)仅为10.5mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该特性使其特别适用于大电流、高频工作的DC-DC转换器和同步整流电路中。此外，该器件在VGS=4.5V时仍能保持13.5mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低压驱动能力，可兼容3.3V或5V逻辑信号控制，适用于现代低电压控制IC直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和长期可靠性。芯片内部经过优化布局，减少了热点产生，提升了热传导效率，确保在持续高负载下仍能维持稳定的电气性能。其最大结温可达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，适用于严苛环境下的工业设备、通信电源及汽车电子外围系统。同时，器件具有较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或电感反冲等异常工况下提供一定的自我保护，增强系统鲁棒性。
　　SRM20100LLTM85的输入电容（Ciss）为1350pF，在同类产品中处于合理水平，有助于平衡开关速度与驱动功耗之间的关系。较低的栅极电荷（Qg）进一步减少了驱动电路所需的能量，有利于提高高频切换下的系统效率。反向恢复时间（trr）仅为28ns，说明体二极管具有较快的响应速度，可有效减少反向恢复带来的损耗和电磁干扰，尤其在同步整流拓扑中表现优异。此外，SOP-8L封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且引脚布局合理，有利于PCB布线与散热设计。

SRM20100LLTM85广泛应用于各类中高功率电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流式开关电源（如LLC谐振转换器、反激式电源中的次级侧同步整流），在此类应用中，其低导通电阻和快速开关特性可显著降低整流损耗，提升能效至85%以上。该器件也常用于多相位降压转换器（Multiphase Buck Converters）中作为上下桥臂开关，配合控制器实现对CPU、GPU或ASIC等高性能处理器的高效供电。此外，在电池供电系统如笔记本电脑、移动电源、电动工具中，SRM20100LLTM85可用于电池保护电路或负载开关，提供低损耗的通断控制功能。
　　在工业电源领域，该MOSFET适用于AC-DC适配器、工业DC电源模块、PoE（Power over Ethernet）供电设备等场合，满足高效率、小体积的设计要求。其100V的耐压能力使其能够应对常见的48V系统电压波动，适用于通信基站、服务器电源等应用场景。同时，因其具备良好的热性能和可靠性，也可用于电机驱动电路中的低端开关或H桥拓扑结构中。此外，在新能源相关设备如太阳能微逆变器、储能系统的充放电控制模块中，该器件也能发挥其高效导通与快速响应的优势。总之，SRM20100LLTM85凭借其综合性能优势，成为众多中功率电源设计中的优选MOSFET之一。

AOTF10N100
　　APM20100LN
　　SIHF10N100