类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：600mA @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：1.5Ω @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：1.8Ω @ Vgs=2.5V
　　栅极电荷(Qg)：1.3nC @ Vgs=4.5V
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

SRK7002WT1G具有多项优异特性，适用于高效能电源管理应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）在4.5V栅极驱动电压下仅为1.5Ω，在2.5V下也保持在1.8Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该器件的漏极电流能力可达600mA，适合中等功率的开关应用，如负载开关、DC-DC转换器和逻辑电平驱动电路。
　　此外，SRK7002WT1G采用了先进的Trench沟槽工艺技术，使得其在保持小尺寸的同时仍具备出色的性能，包括较低的栅极电荷（Qg=1.3nC），从而降低开关损耗，提升高频工作能力。
　　该MOSFET支持宽范围的栅极电压（±12V），但典型工作电压为2.5V至4.5V，适合与低压微控制器或逻辑IC直接接口。
　　封装方面，SRK7002WT1G采用SOT-23小型封装，散热性能良好，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性。
　　最后，SRK7002WT1G的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种工业环境，具备良好的稳定性和可靠性。

SRK7002WT1G的应用领域包括但不限于以下几个方面：
　　首先，它适用于DC-DC转换器中的同步整流开关，提供低导通电阻和高效率的功率转换能力。
　　其次，该器件可用作负载开关，控制电源的接通与断开，常见于便携式设备如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中，以实现节能管理。
　　此外，SRK7002WT1G适用于电机驱动电路，尤其是低功率直流电机或步进电机的控制，提供快速开关和低损耗性能。
　　该MOSFET还可用于LED背光或照明系统的开关控制，实现高精度的调光和高效能管理。
　　在工业控制和自动化系统中，SRK7002WT1G可作为继电器替代器件，用于信号隔离和功率控制，提升系统响应速度和可靠性。
　　最后，由于其小型SOT-23封装和低功耗特性，它也适用于电池供电设备、传感器控制电路和嵌入式系统中的电源管理模块。

Si2302DS, FDN302P, 2N7002, BSS138