类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25℃）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.0mΩ（典型值为4.5mΩ，当VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约180nC
　　输入电容（Ciss）：约2800pF
　　封装形式：TO-220、D2PAK

SRFT20060的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体效率。这种低导通电阻的特性也使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg），这意味着在高频开关应用中，驱动损耗会相对较高，因此适用于中低频开关场合，如电源转换器或电机控制应用。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，漏源电压（VDS）达到60V，适用于多种中低压功率应用。同时，其栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动灵活性，并增强了器件在高压瞬态条件下的稳定性。
　　SRFT20060的封装形式（如TO-220和D2PAK）具备良好的热管理能力，能够有效地将工作过程中产生的热量散发出去，从而提高器件的稳定性和寿命。此外，该器件的工作温度范围宽，可在极端环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。由于其结构设计优化，SRFT20060在导通和关断过程中表现出较低的开关损耗，从而进一步提升系统效率。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，能够在短暂的过载条件下保持稳定运行。

SRFT20060常用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关或同步整流器，提供高效的能量转换。在DC-DC转换器中，SRFT20060的低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率电源管理的理想选择。
　　在电机控制领域，SRFT20060可用于H桥驱动电路，以实现直流电机或步进电机的高效控制。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够在高负载条件下稳定运行。此外，该器件也适用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池组在安全范围内运行。
　　汽车电子领域也是SRFT20060的重要应用方向，包括车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电动车窗控制模块等。由于其宽工作温度范围和高可靠性，特别适合在严苛的汽车环境中使用。

STP150N6F7, IRF1406, FDP160N65A