类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：160A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ（典型值，在VGS=10V）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

SRF267-2 MOSFET采用先进的沟槽式功率技术，具有极低的导通电阻，确保在高电流应用中实现最小的功率损耗。其高电流承载能力可达160A，适用于高功率密度设计。
　　此外，该器件具有优异的热稳定性，采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于散热并提高系统的可靠性。该MOSFET支持高达±20V的栅极电压，使其在驱动电路设计中具有更高的灵活性。
　　在安全性和耐用性方面，SRF267-2具备良好的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压冲击，从而提高系统在极端条件下的稳定性。其高耐用性和稳定性使其成为工业电源、电动车（EV）充电系统、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高要求应用的理想选择。

SRF267-2 主要应用于需要高效功率管理的系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源开关控制以及高功率负载切换等场景。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等。在工业自动化中，它适用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和工业电源模块。
　　由于其良好的热性能和高电流能力，SRF267-2也常用于服务器电源、通信设备电源模块以及智能电网设备等高可靠性要求的场合。

STP150N6F6AG, STP160N6F6FDAG, IRF1404, SiR144DP