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SRF20150 发布时间 时间:2025/8/25 1:36:13 查看 阅读:17

SRF20150是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的射频(RF)晶体管,属于SiC(碳化硅)功率晶体管类别。它专为高功率射频应用设计,具有优异的热稳定性和高频性能,适用于广播、无线通信和工业射频设备。SRF20150采用了先进的碳化硅技术,能够在高电压和高温环境下稳定工作,是高可靠性射频功率放大器的理想选择。

参数

类型:射频功率晶体管
  材料:SiC(碳化硅)
  封装类型:金属封装
  最大漏极电流(Id):150 A
  最大漏源电压(Vds):200 V
  最大栅源电压(Vgs):±30 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  输出功率:1500 W(典型值)
  频率范围:1 MHz 至 500 MHz
  增益:约14 dB(典型值)
  效率:约70%(典型值)
  热阻(Rth):0.25°C/W

特性

SRF20150的最大特点是其采用碳化硅(SiC)材料,这使得该晶体管在高温和高压环境下仍能保持良好的性能。相比传统的硅基晶体管,SiC晶体管具有更高的导热系数和更小的导通损耗,从而提高了整体系统的效率和稳定性。此外,SRF20150的高击穿电压特性使其能够在更高电压下工作,适用于需要高功率输出的应用场景。
  该晶体管还具备优异的高频性能,可在高达500 MHz的频率下稳定工作,适用于广播、无线通信和工业加热设备等高频应用。其高增益和高效率特性使其成为射频功率放大器设计中的关键元件,能够显著提升系统的输出能力和能效比。
  SRF20150的封装设计采用金属封装,具有良好的散热性能和机械强度,能够在恶劣环境下长时间运行。该封装形式也便于安装和维护,适用于高功率密度的设计需求。由于其出色的热管理和电气性能,SRF20150广泛用于需要长时间高负荷工作的射频设备中。

应用

SRF20150广泛应用于高功率射频系统,包括广播发射机、工业射频加热设备、无线通信基站、雷达系统以及射频测试设备等。由于其高效率和高可靠性的特点,特别适合用于需要大功率输出和高稳定性的工作环境。在广播行业,SRF20150常用于AM/FM广播发射机的末级功率放大器,确保信号的高效传输和覆盖范围。在无线通信领域,该晶体管可用于蜂窝基站的射频功率放大器模块,提供稳定的高功率输出,提升网络覆盖能力和信号质量。此外,它还可用于射频测试设备中的高功率信号源,满足测试环境对高功率和高稳定性的需求。

替代型号

STSRF150N20KM9, SRF150R20KM9

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SRF20150参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类肖特基(二极管与整流器)
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压150 V
  • 正向连续电流20 A
  • 最大浪涌电流200 A
  • 配置Dual Common Cathode
  • 正向电压下降1.02 V at 10 A
  • 最大反向漏泄电流100 uA
  • 工作温度范围- 65 C to + 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体ITO-220AB
  • 封装Tube
  • 工厂包装数量2000