类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：60A
　　最大漏源电压 (Vds)：60V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：14.6mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散 (Pd)：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-220

SRF146H 具有低导通电阻，能够在高电流下保持较低的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（60V）使其适用于多种中高功率应用。该器件的 TO-220 封装提供了良好的热管理和散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。此外，SRF146H 的快速开关特性使其非常适合高频开关电源和 DC-DC 转换器应用。该器件还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
　　在驱动能力方面，SRF146H 可以通过标准的 10V 栅极驱动电压实现充分导通，同时支持更高的栅极电压以优化性能。其短路耐受能力也较强，能够在瞬态条件下保持稳定。此外，该器件的封装设计使其易于安装在标准的散热片上，进一步提高热传导效率。
　　SRF146H 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这对于需要频繁开关操作的电源系统尤为重要。此外，该 MOSFET 的漏极和源极之间具有较低的寄生电感，有助于减少高频工作时的电磁干扰（EMI）问题。

SRF146H 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电源管理系统、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）、电池充电器、工业电源以及各种高功率开关电路。其优异的导通性能和高耐压能力使其在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。此外，该器件也常用于电机控制、逆变器和 UPS（不间断电源）系统中，以提供高效的功率转换和稳定的运行性能。

SiR146DP, IRF1406, FDP146N06, STP60NF06