时间：2025/6/26 14:40:13
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TTESDN054AT35 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，广泛应用于高频、高压和高功率场景。该型号属于增强型常关型（E-Mode）晶体管，具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提高电源转换效率并减小系统体积。
其封装形式为DFN8（2x2mm），适合紧凑型设计，同时具备优异的热性能和电气稳定性。该器件适用于同步整流、DC-DC转换器、图腾柱PFC等应用。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：4A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
栅极阈值电压：0.7V~1.5V
输入电容：1450pF
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-55℃~150℃
TTESDN054AT35 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 5.5mΩ），可降低传导损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，支持高达数 MHz 的开关频率，非常适合高频应用场景。
3. 增强型设计，无需复杂的栅极驱动电路，易于使用。
4. 小型 DFN8 封装（2x2mm），节省 PCB 空间，简化散热设计。
5. 高可靠性和宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应多种环境条件。
6. 内置 ESD 保护，增强抗静电能力。
TTESDN054AT35 广泛用于以下领域：
1. 同步整流电路，在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中提高效率。
2. 图腾柱无桥 PFC（功率因数校正）电路，减少元件数量，优化设计。
3. 高频电源模块，如 USB-PD 充电器、适配器和其他便携式设备电源。
4. 汽车电子中的 DC-DC 转换器，满足高功率密度需求。
5. 工业自动化和通信设备中的高效电源解决方案。
TTESDN054AT30
TTESDN054AT50
GAN043-650WSA
