类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：16nC
　　功耗（PD）：45W
　　封装形式：TO-252

SRA2201UF 的核心优势在于其低导通电阻，这使得在高电流工作状态下能显著降低导通损耗，从而提高系统效率。其 RDS(on) 值在 VGS=10V 时仅为 22mΩ，适用于要求高能效的电源转换系统。
　　此外，SRA2201UF 具有较高的最大漏极电流能力（8A），能够在负载变化较大的应用场景下稳定运行。该器件的栅极电荷（Qg）为 16nC，意味着它可以在高频开关环境下保持较低的开关损耗，适合应用于高频 DC-DC 转换器中。
　　该 MOSFET 采用 TO-252 封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，广泛用于紧凑型电源模块和主板供电设计中。
　　同时，SRA2201UF 的最大漏源电压为 30V，栅源电压范围可达 ±20V，使其在多种控制电路中具有良好的兼容性和可靠性。

SRA2201UF 广泛应用于各类电源管理系统，尤其是在需要高效能和小体积设计的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、笔记本电脑电源适配器以及服务器电源模块等。
　　在同步整流电路中，SRA2201UF 可以替代传统的肖特基二极管，实现更低的压降和更高的能量转换效率；在 DC-DC 转换器中，它作为主开关元件，能够有效提升系统的整体效率并减小电路板空间占用。
　　此外，在工业自动化控制系统和汽车电子系统中，SRA2201UF 也常用于电机驱动、LED 驱动和各种负载控制场景。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, FDS6680, AOD4144