电容值：100μF
　　额定电压：16V
　　容差：±20%
　　封装类型：SMD
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　等效串联电阻（ESR）：最大1.3Ω
　　漏电流：最大0.01CV或3μA（取较大者）
　　尺寸：7.3mm x 4.3mm x 2.8mm

KDV175-RTK/P钽电容器采用了先进的固体电解质技术，使其在高频条件下依然能够保持稳定的电容性能。该器件的低等效串联电阻（ESR）有助于减少电路中的能量损耗，提高电源效率。此外，其宽广的工作温度范围确保在极端环境下仍能正常运行，具备优异的耐久性和稳定性。该电容器还具有较高的电容密度，能够在较小的封装尺寸下提供较大的电容量，从而节省电路板空间。
　　该器件的另一个显著特性是其良好的瞬态响应能力，这使其非常适合用于需要快速响应负载变化的电源电路。同时，KDV175-RTK/P的漏电流控制得非常低，有助于减少电路中的静态功耗，延长设备的电池寿命，尤其适用于便携式电子设备。其表面贴装封装设计也使得该电容器在自动化生产过程中易于安装，提高了制造效率。
　　此外，KDV175-RTK/P在设计上具备良好的抗振动和抗冲击性能，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。其材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保的要求。

KDV175-RTK/P主要用于电源滤波、去耦、稳压等电路中，常见于工业控制设备、通信模块、计算机主板、便携式电子产品、汽车电子系统以及各类精密测量仪器中。由于其优异的稳定性和可靠性，该器件也常用于航空航天、医疗设备等对元件性能要求极高的领域。

TCJ系列、T491系列、T510系列