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SRA-50T-3 发布时间 时间:2025/12/27 16:35:56 查看 阅读:13

SRA-50T-3是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅整流二极管阵列,专为高密度、高性能的电源管理应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,使其特别适用于需要高效能和低正向压降的应用场景,如电源整流、反向电压保护、电压钳位和信号解调等。SRA-50T-3封装在紧凑的SMA(DO-214AC)表面贴装封装中,具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和便携式电子产品中。该器件符合RoHS指令要求,并具备无卤素环保特性,满足现代电子产品对环境友好材料的需求。其结构设计优化了电流分布和散热路径,确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外,SRA-50T-3具备较高的反向击穿电压和较低的漏电流,能够在恶劣电气环境中提供可靠的性能表现。

参数

类型:双肖特基二极管阵列
  配置:共阴极
  封装:SMA(DO-214AC)
  最大重复反向电压(VRRM):50V
  最大直流反向电压(VR):50V
  平均整流电流(IO):1.5A(单个二极管)
  峰值浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向电压(VF):0.575V(在1.5A,25°C时)
  最大反向漏电流(IR):0.5mA(在50V,25°C时)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约83.3°C/W
  热阻(RθJC):约33.3°C/W

特性

SRA-50T-3的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术,这种技术相较于传统的PN结二极管显著降低了正向导通压降(VF),从而减少了功率损耗并提高了系统效率。在典型工作条件下,其正向压降仅为0.575V左右,这意味着在大电流应用中能够有效减少发热,提升整体能效。该低VF特性对于电池供电设备尤其重要,因为它可以延长电池续航时间。同时,由于肖特基二极管的快速开关响应能力,SRA-50T-3几乎不存在反向恢复时间(trr ≈ 0),这使得它非常适合高频开关电源、DC-DC转换器以及高速整流电路。
  SRA-50T-3的共阴极双二极管结构允许在多种拓扑中灵活使用,例如用于双路输出整流或作为OR-ing二极管实现冗余电源切换。其额定重复反向电压为50V,适合低压直流系统中的电压隔离与保护。此外,该器件具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持较低的漏电流水平,确保长期运行的可靠性。封装方面,SMA(DO-214AC)是一种标准化的小型表面贴装封装,具有优良的散热性能和焊接兼容性,支持回流焊和波峰焊工艺,适用于高密度PCB布局。
  该器件还具备较强的抗浪涌能力,可承受高达30A的峰值浪涌电流,增强了其在瞬态过载条件下的鲁棒性。这一特性使其适用于可能遭遇输入突波或启动冲击电流的应用场合,如电源适配器、USB充电电路和电机驱动电源模块。综合来看,SRA-50T-3凭借其低功耗、高效率、小尺寸和高可靠性,成为现代电源管理系统中不可或缺的关键元件。

应用

SRA-50T-3广泛应用于各类需要高效整流与电压保护的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,尤其是在低电压大电流输出的AC-DC和DC-DC转换器中,利用其低正向压降优势提升转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,它可用于电池充电管理电路,防止反向电流导致的电池放电或损坏。此外,在USB供电接口、电源分配单元和多电源选择电路中,SRA-50T-3常被用作OR-ing二极管,实现主备电源之间的无缝切换,保障系统持续供电。
  在工业控制领域,该器件可用于PLC模块、传感器电源调理电路和继电器驱动电路中的反向电压抑制和噪声钳位。通信设备中,SRA-50T-3也常用于电源轨保护和信号整流,确保敏感电路不受电压反接或瞬态干扰的影响。在汽车电子系统中,尽管其工作温度上限为+125°C,但在非引擎舱内的车载信息娱乐系统或辅助电源模块中仍有应用潜力。此外,LED照明驱动、太阳能充电控制器和小型逆变器等绿色能源产品也采用此类肖特基二极管以提高能量利用率。总的来说,SRA-50T-3适用于所有要求高效率、小体积和高可靠性的低压直流电源应用场景。

替代型号

SR50T-3, MBRS540T3G, B540CB-13-F, SS5L45, SK154

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