A2010WR-7P 时间：2025/8/16 22:57:49 阅读：8

A2010WR-7P 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高边开关和负载管理应用。该器件采用 TO-252（D-Pak）封装，适用于多种电源管理和保护电路。A2010WR-7P 的设计使其能够在高温和高电流条件下稳定运行，提供良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　漏极电流（ID）：-10A（连续）
　　功耗（PD）：2.5W
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-252（D-Pak）

特性

A2010WR-7P 具备多项优异特性，适用于各种高边开关和电源管理应用。
　　首先，该 MOSFET 采用 P 沟道结构，能够在 -20V 的漏源电压下运行，适用于低压电源系统中的负载开关控制。其栅源电压范围为 ±12V，确保在不同驱动条件下稳定运行。
　　其次，A2010WR-7P 的最大连续漏极电流为 -10A，能够支持中等功率应用，如电源管理模块、电池管理系统（BMS）、直流电机控制和 LED 驱动电路。其低导通电阻（RDS(on)）最大为 45mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　此外，该器件的 TO-252（D-Pak）封装提供了良好的热管理能力，使其在高温环境下仍能保持稳定性能。其功耗为 2.5W，在高电流应用中仍能保持良好的热稳定性。
　　最后，A2010WR-7P 具备良好的可靠性和耐用性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的电源控制应用。

应用

A2010WR-7P 主要用于需要高边开关控制的电源管理系统，例如电池供电设备的负载切换、直流电源管理模块、LED 照明控制系统和小型电机驱动电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也常用于电源逆变器、DC-DC 转换器和热插拔电路中的保护开关。此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化控制系统、智能电表和便携式电子设备中的电源管理电路。