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SR402AH-60 发布时间 时间:2025/12/28 4:03:39 查看 阅读:17

SR402AH-60是一款由Semitrade(赛米特)生产的高性能硅堆叠肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD),主要设计用于高效率、高频的开关电源应用。该器件采用平面硅芯片技术,结合先进的封装工艺,具备低正向压降、快速反向恢复时间和高可靠性等优点,广泛适用于消费类电子产品、通信设备以及工业电源系统中的整流与续流功能。SR402AH-60的命名中,'SR'代表肖特基整流二极管,'402'表示其最大重复峰值反向电压为40V,'A'为电流等级标识,'H'可能代表高温特性或特定产品系列,而'60'则通常指其最大平均整流电流为6.0A。该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,在现代绿色电子制造中具有良好的兼容性。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:单只
  最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大平均整流电流(IO):6.0A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半波)
  最大正向压降(VF):0.54V @ 3.0A,0.62V @ 6.0A
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 40V(25°C),10mA @ 40V(125°C)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约40°C/W(依PCB布局而定)
  封装形式:TO-277(DPAK-3L)或类似小型化表面贴装封装

特性

SR402AH-60的核心优势在于其优异的电学性能和热稳定性,使其在高频率开关电源环境中表现出色。首先,该器件采用了优化的肖特基势垒结构,显著降低了正向导通压降(VF),典型值在3A电流下仅为0.54V,有效减少了导通损耗,提升了整体电源转换效率。这对于便携式设备和节能型电源适配器尤为重要,有助于降低系统温升并延长电池续航时间。
  其次,作为金属-半导体结型器件,SR402AH-60不具备少数载流子存储效应,因此具有极快的反向恢复速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计(trr < 10ns)。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流替代方案以及反激式(Flyback)电源拓扑中,能够显著减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提高系统的稳定性和可靠性。
  此外,该器件具备较强的浪涌电流承受能力,可承受高达150A的峰值浪涌电流(8.3ms单半波),确保在电源启动或负载突变等瞬态工况下仍能安全运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ +125°C)和高达150°C的存储温度范围,使其能够在恶劣环境条件下保持稳定性能,适用于工业级和汽车电子外围应用。
  在封装方面,SR402AH-60采用TO-277(即DPAK-3L)表面贴装封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合自动化贴片生产。引脚设计兼容标准SMT工艺,便于集成到紧凑型PCB布局中。同时,该封装具备较低的内部热阻,有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB,从而提升功率密度和长期可靠性。整体而言,SR402AH-60是一款集高效率、高可靠性和良好工艺兼容性于一体的先进肖特基二极管解决方案。

应用

SR402AH-60广泛应用于各类中低电压、大电流的电力电子场景。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,特别是在12V或24V输出的AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源中表现优异。由于其低VF特性,常被用作续流二极管或钳位二极管,在反激式、正激式和LLC谐振变换器中起到关键作用。
  在DC-DC转换器领域,该器件适用于非隔离型Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构,尤其是在多相降压电路中作为下管续流路径使用。尽管不能完全替代MOSFET同步整流,但在成本敏感或控制复杂度受限的设计中,SR402AH-60提供了一种高性价比的整流方案。
  此外,它还可用于逆变器、UPS不间断电源、电动工具电源模块、网络通信设备电源板以及家用电器的内部供电单元。在光伏微逆变器或储能系统的辅助电源中也有应用潜力。得益于其表面贴装封装,SR402AH-60特别适合对空间有严格要求的高密度电路板设计,如笔记本电脑适配器、机顶盒电源和小型工业控制器。

替代型号

MBR640AT3G
  SS64-SMC
  SB640CT
  SR6040
  ES6A

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