时间：2025/8/28 5:32:01
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PQ1X261M2ZPH 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。该器件采用小型化封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于对空间和能效有较高要求的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：6A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大26mΩ（在4.5V Vgs）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSMT6（热增强型表面贴装）
PQ1X261M2ZPH MOSFET具有多项优良特性，适用于高性能电源管理设计。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提供优异的开关性能和稳定性。该MOSFET支持高电流负载能力，能够在高密度PCB布局中保持良好的散热性能。此外，其热增强型TSMT6封装有助于提高热循环可靠性，延长器件使用寿命。PQ1X261M2ZPH还具有优异的抗静电能力和过温保护能力，适用于复杂电磁环境中的电源系统设计。
该器件广泛应用于各种电子设备的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的DC-DC转换器；工业自动化设备的电源系统；LED驱动电路；电池管理系统（BMS）；电机驱动和负载开关控制等场景。
PQ1X261M2ZPH的替代型号包括PQ1X261M2ZAH、PQ1X261M2ZPH-E2、PQ1X261M2ZTR-E2
