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PQ1X261M2ZPH 发布时间 时间:2025/8/28 5:32:01 查看 阅读:8

PQ1X261M2ZPH 是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。该器件采用小型化封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于对空间和能效有较高要求的电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):6A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大26mΩ(在4.5V Vgs)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TSMT6(热增强型表面贴装)

特性

PQ1X261M2ZPH MOSFET具有多项优良特性,适用于高性能电源管理设计。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。器件采用先进的沟槽式MOSFET结构,提供优异的开关性能和稳定性。该MOSFET支持高电流负载能力,能够在高密度PCB布局中保持良好的散热性能。此外,其热增强型TSMT6封装有助于提高热循环可靠性,延长器件使用寿命。PQ1X261M2ZPH还具有优异的抗静电能力和过温保护能力,适用于复杂电磁环境中的电源系统设计。

应用

该器件广泛应用于各种电子设备的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的DC-DC转换器;工业自动化设备的电源系统;LED驱动电路;电池管理系统(BMS);电机驱动和负载开关控制等场景。

替代型号

PQ1X261M2ZPH的替代型号包括PQ1X261M2ZAH、PQ1X261M2ZPH-E2、PQ1X261M2ZTR-E2

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