型号：SR250L-6S
　　通道类型：P沟道
　　配置：双通道
　　封装类型：6-SO
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-3.8A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：270pF（@ VDS = 10V）
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　栅极电荷(Qg)：5.5nC（@ VGS = -4.5V）

SR250L-6S采用先进的沟槽式MOSFET工艺，确保了在低电压条件下仍能保持优异的导通性能。其核心特性之一是低导通电阻，典型值仅为45mΩ（在VGS = -4.5V时），这显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于电池供电设备中对功耗敏感的应用场景。由于使用P沟道结构，该器件可在负向栅极偏置下直接控制，省去了复杂的驱动电路设计，特别适合用于高端开关配置，如负载开关或电源路径管理。此外，该MOSFET的阈值电压范围控制在-0.8V至-1.4V之间，保证了在低电压逻辑信号（如1.8V或3.3V系统）下也能可靠开启，增强了与现代微控制器和数字逻辑电路的兼容性。
　　该器件具备良好的热稳定性，得益于其SO-6封装设计，能够有效传导热量并维持较低的结温上升。内部结构经过优化，减少了寄生电感和电容，从而改善了开关瞬态响应，降低了电磁干扰（EMI）风险。每个通道都具备独立的源极连接，允许灵活的电路布局和独立控制，适用于需要双路独立开关控制的场合。器件还具备较强的抗静电能力（HBM ESD额定值通常可达±2000V以上），提升了在装配和运行过程中的可靠性。此外，SR250L-6S通过了AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其具备车规级可靠性，可用于汽车电子中的非主驱电源管理单元。
　　值得一提的是，该MOSFET的输入电容仅为270pF左右，在同类P沟道器件中属于较低水平，这意味着驱动所需的能量更少，进一步降低动态损耗。同时，5.5nC的总栅极电荷使得它在高频开关应用中表现良好，尽管P沟道器件通常比N沟道慢，但在中低频DC-DC转换或电源切换任务中仍可胜任。总体而言，SR250L-6S凭借其小型化封装、低RDS(on)、宽工作温度范围和高可靠性，成为许多空间受限且要求高效能的电源管理系统的理想选择。

SR250L-6S广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关和电池管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其中对尺寸和能效的要求极为严格。在这些设备中，该器件常被用作负载开关，用于控制不同功能模块（如显示屏、无线模块或传感器）的供电通断，以实现动态电源管理和节能目的。此外，它也适用于同步降压转换器中的上管开关，特别是在单路或多路输出的DC-DC电源架构中，配合控制器实现高效的电压调节。
　　在工业控制系统中，SR250L-6S可用于隔离电路、继电器替代方案或电机驱动中的低端保护开关，利用其快速响应和低导通损耗特性提升系统响应速度和能效。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该器件可用于多路电源轨的顺序上电控制或热插拔保护电路，防止浪涌电流损坏后级元件。此外，由于其具备较宽的工作温度范围和较高的可靠性，SR250L-6S也被用于汽车电子系统中的辅助电源管理，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）或车灯驱动电路中，执行电源分配和故障隔离功能。
　　另一个重要应用领域是适配器和充电器电路，尤其是在USB Type-C PD电源设计中，用于控制VBUS路径的通断，确保只有在协议协商完成后才接通电源，从而保障连接设备的安全。由于SR250L-6S支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，无需额外驱动芯片，简化了BOM成本和PCB布局复杂度。总之，该器件适用于所有需要低电压、小封装、高可靠性P沟道MOSFET的中低功率开关场景。

Si3456DV-T1-GE3
　　AO3415
　　FDS6670A
　　NXM20N03R2