时间：2025/12/28 3:59:23
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SR200L-10S是一款由Silicon Semiconductor Corp.（或类似制造商）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装型封装，广泛应用于电源整流、反向电压保护以及高频开关电路中。该器件具有低正向导通电压、快速开关响应和高效率的特点，适用于对能效要求较高的现代电子设备。其命名中的‘SR’通常代表肖特基整流器，‘200’表示最大重复反向电压为200V，‘L’可能指低漏电流设计，而‘10S’则可能表示其封装形式或特定产品系列。该器件常用于DC-DC转换器、逆变器、续流二极管及极性保护电路等场景。
SR200L-10S在设计上优化了热性能与电气性能的平衡，能够在较高的环境温度下稳定工作，同时具备良好的浪涌电流承受能力。其结构采用先进的平面工艺制造，确保了器件的一致性和可靠性。此外，该型号符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合自动化贴片生产流程。由于其优异的动态特性，SR200L-10S在太阳能逆变系统、LED驱动电源、通信电源模块等领域得到了广泛应用。
类型：肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：200V
平均整流电流（IO）：2A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半波）
正向电压降（VF）：典型值0.85V @ 2A, 最大值1.0V @ 2A
反向漏电流（IR）：最大50μA @ 200V, 25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热阻（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
封装形式：TO-277（DPAK类似小型化表面贴装）
SR200L-10S的核心优势在于其低正向压降与高反向耐压之间的良好折衷，使其在中高压应用中仍能保持较高的转换效率。传统肖特基二极管受限于材料特性，通常反向耐压难以超过100V，但SR200L-10S通过优化金属-半导体接触界面和引入场限环（Field Ring）结构，成功将反向耐压提升至200V，同时维持相对较低的导通损耗。这一技术突破使得它在需要较高输出电压的开关电源设计中成为理想选择，尤其适用于升压拓扑（Boost Converter）或PFC电路中的续流路径。
该器件具有极快的反向恢复时间（trr < 10ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境下不会产生显著的反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗。这对于提高系统整体效率、降低散热需求至关重要。此外，SR200L-10S的低漏电流设计有效抑制了高温下的功率损耗增加问题，提升了高温工作稳定性，避免因漏电流激增导致的热失控风险。
从封装角度看，SR200L-10S采用TO-277小型化表面贴装封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合回流焊工艺，并可实现紧凑布局。其引脚配置便于自动装配，广泛兼容主流SMT生产线。同时，器件内部结构经过优化，增强了抗热循环疲劳能力，提高了长期使用的可靠性。综合来看，SR200L-10S不仅满足高性能电源设计的需求，也在成本、尺寸和可制造性之间实现了良好平衡，是现代高效能电源系统中不可或缺的关键元件之一。
SR200L-10S主要应用于各类中高电压直流电源系统中，特别是在需要高效整流和快速响应的场合。其典型应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在输出电压高于12V的系统中，传统低压肖特基无法胜任时，SR200L-10S凭借其200V耐压和低VF表现脱颖而出；在升压型DC-DC转换器中作为续流二极管使用，能够显著降低能量损耗，提高转换效率；在光伏逆变器系统中用于防止电池板夜间反向放电，起到防逆流作用。
此外，该器件也常用于AC-DC适配器、LED照明驱动电源、工业控制电源模块以及UPS不间断电源系统中，作为输出整流或钳位保护元件。在电机驱动电路中，SR200L-10S可用于感性负载的续流路径，吸收反电动势，保护开关管免受电压冲击。由于其具备较强的浪涌电流承受能力，也可应用于存在瞬态大电流的环境中，如启动瞬间的电容充电回路或继电器消弧电路。
在通信设备电源模块中，SR200L-10S因其高可靠性和稳定的电气特性被广泛采用，有助于延长设备使用寿命并减少维护频率。同时，该器件适用于便携式设备的充电管理电路，提供反接保护和电源切换功能。总体而言，凡是在需要高效率、高耐压、快速响应的整流或保护功能的应用中，SR200L-10S均表现出卓越的适应性和性能优势。
MBR20200CT
SB200M
VS20EC60FN-M3
B540C-13-F
