时间：2025/8/23 16:35:42
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TT150N20KOF是一款由东芝（Toshiba）公司推出的高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于工业电源、逆变器和电机控制等高电流场景。该器件采用先进的功率MOSFET技术，提供高效、可靠的功率控制解决方案。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约5.2mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
TT150N20KOF具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于高压电源转换应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。
该器件采用东芝专有的U-MOS技术，提供了出色的开关性能，降低了开关损耗。同时，其±20V的栅极电压耐受能力使得在驱动过程中不易损坏，提高了器件的可靠性。
TT150N20KOF的TO-247封装形式具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的工业环境。其结构设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于降低系统噪声和干扰，提高整体系统稳定性。
该MOSFET主要应用于高功率电源转换设备，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、电机驱动器、电动车辆充电系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性，也常用于需要频繁开关和高负载的电力电子系统中。
TK150A20D, TK150A20W, SiHF150N20D
