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SQR50N06-07L-GE3 发布时间 时间:2025/6/4 17:25:01 查看 阅读:4

SQR50N06-07L-GE3是一款N沟道功率MOSFET,采用QFN封装形式。该器件适用于高效率、低损耗的开关电源和电机驱动等应用场合,其优化的设计使其具备极低的导通电阻以及良好的开关性能。
  此型号中的‘SQR’代表了产品系列,而‘50N06’表示该器件能够承受的最大漏源电压为60V,并且在特定条件下具有50A的电流能力。最后的‘07L-GE3’则进一步标注了封装类型和其他特殊参数信息。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):7mΩ
  栅极电荷:48nC
  输入电容:2120pF
  总热阻(结到壳):1.0°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,可有效降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,绿色环保。
  5. 小型化的QFN封装设计,节省PCB空间的同时改善散热性能。
  6. 超薄型设计,非常适合便携式设备和对高度敏感的应用场景。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理及保护电路
  5. 汽车电子系统中的负载开关
  6. LED驱动电路
  7. 工业自动化设备中的功率控制模块

替代型号

SQR50N06L-GE3, SQR50N06-07E-GE3

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SQR50N06-07L-GE3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.6 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5570pF @ 25V
  • 功率 - 最大136W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263(D2Pak)
  • 包装带卷 (TR)