时间：2025/6/4 17:25:01
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SQR50N06-07L-GE3是一款N沟道功率MOSFET，采用QFN封装形式。该器件适用于高效率、低损耗的开关电源和电机驱动等应用场合，其优化的设计使其具备极低的导通电阻以及良好的开关性能。
此型号中的‘SQR’代表了产品系列，而‘50N06’表示该器件能够承受的最大漏源电压为60V，并且在特定条件下具有50A的电流能力。最后的‘07L-GE3’则进一步标注了封装类型和其他特殊参数信息。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：2120pF
总热阻（结到壳）：1.0°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，可有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 小型化的QFN封装设计，节省PCB空间的同时改善散热性能。
6. 超薄型设计，非常适合便携式设备和对高度敏感的应用场景。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理及保护电路
5. 汽车电子系统中的负载开关
6. LED驱动电路
7. 工业自动化设备中的功率控制模块
SQR50N06L-GE3, SQR50N06-07E-GE3
