容量：128K x 8位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取电流（最大）：160mA
　　待机电流（最大）：10mA
　　封装尺寸：5.0mm x 10.0mm
　　组织结构：128K x 8

HY628100BLLG70 SRAM芯片具备多项显著的性能特征。首先，它采用高速CMOS技术制造，使其在70ns的访问时间内实现快速数据读写操作，非常适合需要实时响应的应用。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，增强了其在不同供电条件下的适用性。此外，HY628100BLLG70还具备低功耗设计，在待机模式下电流消耗仅需10mA，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　该SRAM芯片的封装形式为54引脚TSOP，符合行业标准封装尺寸，便于PCB布局和自动化组装。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业级环境中稳定运行。HY628100BLLG70内部采用先进的电路设计，具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持数据的完整性与稳定性。此外，该芯片无需刷新电路，简化了系统设计，提高了整体系统的可靠性。

HY628100BLLG70 SRAM芯片广泛应用于需要高速、低功耗数据存储的电子设备中。常见的应用包括工业控制系统、网络通信设备、测试与测量仪器、嵌入式系统以及便携式电子设备。例如，在嵌入式微控制器系统中，该芯片可作为高速缓存或临时数据存储器使用；在通信模块中，可用于缓冲数据包和临时数据处理。此外，HY628100BLLG70也适用于汽车电子系统，如车载导航系统、远程信息处理系统等，确保在恶劣环境下稳定运行。

IS62LV128ALGL70TF