电容值：4.7μF
　　额定电压：6.3V DC
　　电容容差：±20%
　　温度特性：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：1.6mm
　　介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
　　端电极结构：Ni/Cu/Sn镀层
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：随电压增加电容值下降，需参考厂商DC bias曲线
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　 ESL（等效串联电感）：典型值约0.5nH
　　绝缘电阻：≥500MΩ或CR≥1000秒（取较大者）
　　耐焊接热性：符合JIS C 5101-8标准
　　寿命测试：在额定电压与+85°C下持续工作1000小时后，电容值变化≤初始值的ΔC/C0，且tanδ ≤ 初始值的两倍

THSCM0J475MKAR 采用先进的多层叠膜共烧技术，确保了内部电极与介质层之间的高度均匀性和结构致密性，从而提升了产品的机械强度与电气稳定性。其使用的X5R型介电材料基于改性钡钛矿陶瓷体系，能够在宽温范围内保持相对稳定的电容输出，尤其适用于对温度敏感的应用场景。该电容器在直流偏压下的电容保持率优于一般Y5V类产品，尽管随着施加电压上升仍会出现一定程度的容量衰减，但通过优化内部电极设计和介质配方，已显著改善这一问题。此外，该型号具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦场合表现出色，能有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。
　　Taiyo Yuden 在制造过程中实施严格的洁净室控制与自动化生产流程，保证产品批次一致性与高良品率。该电容器通过AEC-Q200认证的可能性较高（具体需查证最新规格书），适用于汽车电子等高可靠性要求领域。其外电极采用三层金属化结构（镍阻挡层、铜中间层、锡覆盖层），增强了抗迁移能力与可焊性，支持无铅回流焊工艺，符合RoHS环保指令要求。产品还具备优异的抗湿性能，采用防潮包装并在出厂时进行干燥处理，防止因吸湿导致焊接时出现“爆米花”效应或裂纹。
　　由于其1210封装尺寸在体积与容量之间取得了良好平衡，THSCM0J475MKAR 被广泛用于需要中等容量滤波的场合，如微处理器供电引脚的旁路电容、DC-DC转换器输入/输出端滤波、音频信号耦合以及传感器模块的电源稳压电路中。同时，得益于其小型化设计，有助于缩小整体PCB面积，提高元件集成度。

THSCM0J475MKAR 主要应用于需要稳定电容性能与高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元（PMU）去耦电路，用于平滑电压波动并减少高频噪声干扰。在无线通信模块中，该电容器常被用作射频芯片或基带处理器的旁路电容，以保障信号完整性与系统稳定性。此外，在各类嵌入式控制系统如物联网节点、智能家居控制器和工业传感器模块中，该器件也发挥着关键作用，特别是在DC-DC降压或升压转换器的输入和输出滤波环节，能够有效降低纹波电压，提升电源效率。
　　由于其具备良好的温度稳定性和较小的封装尺寸，该电容器同样适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、ADAS传感器供电电路等，尤其是在非动力总成类低压应用中表现可靠。在医疗电子设备中，如便携式监护仪或诊断仪器的模拟前端供电部分，THSCM0J475MKAR 可提供干净的电源环境，避免噪声影响精密测量结果。此外，在FPGA、ASIC 或 MCU 的核心电压域去耦设计中，多个此类电容常与其他容值组合使用，构成宽带去耦网络，以应对瞬态电流需求并维持电源轨稳定。其表面贴装形式也兼容自动化贴片生产线，适合大规模量产使用。

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　　 "GRM32DR71E475KA120D",
　　 "C3225X5R1E475K160AB",
　　 "CL32A475KCIVNNNE"
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