时间：2025/6/10 16:52:55
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SQM120N06-06-GE3 是一款基于硅工艺制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，具有出色的散热性能和电气特性，使其在中等功率应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SQM120N06-06-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），能够显著降低功率损耗。
2. 高额定电流（120A），适合大电流应用场景。
3. 快速开关能力，支持高频操作，减少电磁干扰和提高效率。
4. 高温适应性，工作温度范围宽达 -55℃ 至 +175℃，适用于严苛环境。
5. 栅极驱动要求低，易于与控制器集成。
6. 具备良好的热稳定性和可靠性，确保长时间运行的安全性。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电动工具和小型电机驱动中的功率控制。
3. 通信设备中的负载开关。
4. 工业自动化系统中的继电器替代方案。
5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理组件。
SQM120N06L-GE3, IRF540N, FDP067N06L
