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SQJ479EP-T1_GE3 发布时间 时间:2025/5/23 14:45:48 查看 阅读:19

SQJ479EP-T1_GE3是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。其封装形式通常为TO-220或DPAK,适合在高电流和高电压环境下工作。
  这款芯片广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、逆变器等领域,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

SQJ479EP-T1_GE3具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 高温稳定性,即使在极端温度条件下也能保持可靠的性能。
  4. 强大的过流保护能力,确保在异常情况下不会损坏。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
  6. 封装设计优化散热路径,进一步增强了热性能表现。

应用

该芯片适用于多种电力电子设备:
  1. 开关模式电源(SMPS),用于计算机、服务器和其他消费类电子产品的供电。
  2. DC-DC转换器,提供高效的电压调节功能。
  3. 电机驱动电路,支持无刷直流电机(BLDC)及步进电机的精准控制。
  4. 太阳能逆变器,将直流电转化为交流电以供家庭或工业使用。
  5. 电动汽车中的电池管理系统(BMS)以及牵引逆变器等核心组件。
  由于其卓越的性能和可靠性,SQJ479EP-T1_GE3成为了许多高要求应用的理想选择。

替代型号

SQJ478EP-T1_GE3, IRFZ44N, FDP55N06L

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SQJ479EP-T1_GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥9.78000剪切带(CT)3,000 : ¥4.14982卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)33 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)68W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8