75232L-R20N-R 是一款基于 SOIC-8 封装的高速光耦合器,广泛应用于需要电气隔离的电路设计中。该器件由一个 GaAs 发光二极管和一个高灵敏度硅光电晶体管组成,能够提供高达 1 Mbps 的数据传输速率。其设计适用于工业、通信和消费类电子设备中的信号隔离与传输任务。
这款光耦合器具有低输入电流、高共模抑制比以及宽工作温度范围的特点,使其非常适合在恶劣环境下的应用。
封装:SOIC-8
输入电流(IF):1.6 mA
输出集电极电流(IC):50 mA
绝缘电压(VIORM):5300 Vrms
最大传播延迟时间:5 μs
工作温度范围:-40°C 至 +110°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
带宽:1 MHz
爬电距离:8 mm
75232L-R20N-R 具有以下主要特性:
1. 高速数据传输能力,支持最高 1 Mbps 的比特率。
2. 超低输入驱动电流,有助于降低功耗并简化驱动电路设计。
3. 强大的电气隔离性能,能够承受超过 5000 V 的瞬态高压,确保系统安全性。
4. 宽泛的工作温度范围,使其适合各种工业和户外环境应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 小型化的 SOIC-8 封装,便于 PCB 布局和安装。
7. 内部集成浪涌保护功能,增强抗干扰能力。
该光耦合器常用于以下场景:
1. 工业控制系统的信号隔离。
2. 通信设备中的电源与信号隔离。
3. 医疗设备的数据传输隔离。
4. 消费类电子产品中的噪声抑制和安全防护。
5. 开关电源及逆变器中的反馈信号隔离。
6. 继电器驱动电路的隔离控制。
7. 计算机接口的电气隔离模块。
8的应用场合。
TLP291-4, HCPL-263L, PS2801S