类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在 Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：PowerSSO-8
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.2mΩ（当 Vgs=10V 时）

SQJ186ELR MOSFET 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 的条件下，Rds(on) 最大仅为 3.2mΩ，这对于大电流应用场景至关重要。其次，该器件具有高电流承载能力，连续漏极电流可达 60A，能够满足高性能电源转换系统的需求。
　　此外，SQJ186ELR 采用 PowerSSO-8 封装，具备优良的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。其高功率耗散能力（100W）确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。器件的工作温度范围广泛，从 -55℃ 到 +150℃，适应各种工业和汽车环境。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，通过优化的硅片设计和封装结构，有效降低热阻，提高热传导效率。这使得 SQJ186ELR 在高频率开关应用中仍能保持较低的温升，从而延长使用寿命并提高可靠性。此外，器件的栅极驱动电压范围宽，支持标准的 10V 和 12V 驱动电压，便于与多种控制器和驱动器配合使用。

SQJ186ELR 主要应用于高功率密度的电源管理系统，包括但不限于同步整流型 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路、工业电源、UPS（不间断电源）系统以及汽车电子系统。其高效率和低导通电阻的特性使其成为高性能电源转换和管理系统的理想选择。在汽车应用中，SQJ186ELR 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等关键系统。

SiR186DP, FDS6680, IRF6718, SQJ188ELR