时间：2025/7/30 19:08:41
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BSS138D 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于低电压、高频率的开关应用。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适合在空间受限的电路设计中使用。BSS138D 具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于负载开关、电平转换、电源管理等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS：100V
栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：100mA
功耗 PD：300mW
导通电阻 RDS(on)：5Ω（典型值）
栅极电荷 Qg：10nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
BSS138D MOSFET 的主要特性包括其低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高能效。该器件在高频率下具有良好的性能，适用于开关电源和信号切换等高频应用。
此外，BSS138D 的 SOT-23 小型封装使其非常适合用于紧凑型 PCB（印刷电路板）设计。其栅极驱动电压范围较宽，允许使用多种控制电路进行驱动，增强了设计的灵活性。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业和消费类电子产品。其栅极保护设计（±20V 栅源电压容限）也增强了其在复杂电路环境中的耐受能力，降低了因过压导致损坏的风险。
BSS138D 广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理系统、电平转换电路、LED 驱动器、电池供电设备、微控制器外围电路以及信号开关应用。由于其小型封装和高可靠性，该器件常用于便携式设备、工业自动化设备、通信模块以及汽车电子系统中的低功率开关控制。
在嵌入式系统中，BSS138D 常被用来控制外设的电源供应，例如 Wi-Fi 模块、蓝牙模块和传感器的电源开关，从而实现节能和延长电池寿命的目标。此外，在 I2C 或 SPI 接口的电平转换电路中，BSS138D 也常被用作高效的双向电平转换开关。
2N7002, NDS355AN, IRLML6401, FDV301N
