时间：2025/6/16 11:01:09
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SQD70140EL是一款高效能的N沟道MOSFET功率晶体管，专为高开关频率和低导通电阻的应用而设计。它采用了先进的半导体制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等场景。
型号：SQD70140EL
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：7mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（持续漏极电流）：140A
Ptot（总功耗）：230W
Vgs（栅源极电压）：±20V
f（工作频率）：最高支持1MHz
封装形式：TO-247
SQD70140EL具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并优化高频操作性能。
4. 强大的热稳定性，确保在高温条件下可靠运行。
5. 内置ESD保护功能，提升器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
该元器件适用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换及保护电路。
4. 工业自动化领域的功率转换与控制模块。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
SQD70140EJ, IRF7843, FDP16N40
