时间：2025/5/24 14:11:41
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SQD50N03-06P-GE3是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Semikron等制造商生产。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于多种电力电子应用。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装工艺，广泛应用于电源转换、电机驱动以及负载开关等领域。
这款MOSFET的最大额定电压为30V，最大电流为50A，能够满足高效率和高性能的需求。其出色的热性能和电气特性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源极电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：18nC
开关速度：超快
封装形式：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SQD50N03-06P-GE3的主要特点是低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其快速的开关速度使得它在高频应用中表现出色。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
其紧凑的TO-252封装设计简化了PCB布局，并且支持高效的散热管理。这些特点共同确保了该MOSFET在各种复杂环境中的卓越表现。
SQD50N03-06P-GE3适用于直流-直流转换器、开关电源、电池管理系统、电机控制、LED驱动器以及负载切换等场景。凭借其高电流承载能力和低导通损耗，该器件非常适合需要高效功率传输的应用场合。
此外，它也常用于工业自动化设备、家用电器及通信基础设施中的功率管理部分。
SQD50N03L-06P-GE3
SQJ59VN
IRLZ44N
