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SQD15N06-42L_GE3 发布时间 时间:2025/5/7 17:12:55 查看 阅读:15

SQD15N06-42L_GE3 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管 (Power MOSFET)。该型号由知名半导体制造商提供,广泛应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其设计目标是为中低电压应用提供高效的开关性能和较低的导通电阻,同时具备良好的热特性和可靠性。
  该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能,并且符合 RoHS 标准,适合环保要求严格的电子设备。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:4.2mΩ
  栅极电荷:19nC
  总功耗:27W
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TO-220FP

特性

SQD15N06-42L_GE3 的主要特点包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 4.2mΩ,这显著减少了传导损耗,从而提高了整体效率。
  2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷(Qg=19nC),可实现快速的开启和关断时间。
  3. 提供了强大的电流处理能力,额定值高达 15A,使其适用于高功率密度的设计。
  4. 工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +175℃,确保在极端环境下依然能够稳定运行。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的抗静电能力,提高系统可靠性。
  6. TO-220FP 封装形式,具有出色的散热性能,便于安装和维护。

应用

该元器件广泛用于多种电力电子应用领域,具体包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换级,例如适配器、充电器等。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 各种 DC-DC 转换器,如降压或升压变换器。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率控制部分。
  6. 可再生能源系统中的逆变器模块,例如太阳能光伏逆变器。

替代型号

SQD15N06-42L, IRFZ44N, FDP18N10, STP16NF06L

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SQD15N06-42L_GE3参数

  • 现有数量830现货
  • 价格1 : ¥8.19000剪切带(CT)2,000 : ¥3.47085卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)535 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)37W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63