时间：2025/6/4 1:43:56
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CDR31BP1R1BCZRAT是一种基于碳化硅（SiC）材料的肖特基二极管，广泛应用于高频、高效率电源转换场景。该器件具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，适合于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等应用。这种二极管能够承受较高的工作温度，并具备出色的热稳定性和可靠性。
该型号中的关键参数表明其设计目的是在高频率条件下减少开关损耗，同时提供稳定的电流处理能力。
额定电压：650V
额定电流：3A
正向压降(VF)：1.2V
反向恢复时间(trr)：40ns
结电容(Cj)：~25pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 采用先进的碳化硅技术，确保更高的效率和更低的功耗。
2. 超快恢复时间，适用于高频开关电路。
3. 低正向压降减少了传导损耗，提高了整体效率。
4. 高温性能优异，能够在极端环境下保持稳定性。
5. 反向漏电流极低，提升了系统的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
CDR31BP1R1BCZRAT主要应用于需要高效能和高频操作的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. 太阳能逆变器。
3. 电动汽车充电设备。
4. 工业用电机驱动器。
5. DC-DC转换器。
6. LED照明驱动电路。
7. 其他需要高频整流和低损耗的应用。
CMF20HL-06S3, CTH20080K, STPSC30H100C
