时间：2025/6/17 16:21:27
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SQD100N02-3M5L 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为低导通电阻和高开关速度而设计，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
该器件采用了先进的制造工艺，能够提供卓越的性能和可靠性，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：100A
导通电阻：3.5mΩ
栅源开启电压：2.5V
栅源阈值电压：2V~4V
总栅极电荷：65nC
输入电容：2000pF
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃~150℃
SQD100N02-3M5L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，可降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性和抗雪崩能力，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于系统集成。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
SQD100N02-3M5L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具、家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
4. 工业控制和自动化系统。
5. 电动车和混合动力车的动力管理系统。
6. 各类负载切换和保护电路。
SQD100N02L-3M, IRF840, STP100N2L
