时间：2025/5/30 12:01:17
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SQCSVA2R7BAT1A 是一款由 Vishay 公司生产的低电阻功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on))，适用于高效能开关和功率管理应用。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计方案。
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻、高效率和出色的热稳定性，使其非常适合于需要高频切换和高电流承载能力的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：59A
导通电阻：2.7mΩ
栅极电荷：48nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
SQCSVA2R7BAT1A 提供了非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，它具备高雪崩能量能力，能够在异常条件下保持稳定运行。TrenchFET? 技术确保了更快的开关速度和更低的开关损耗。该器件还支持多种保护功能，如过流保护和短路保护，从而提高了系统可靠性。
由于采用了 PowerPAK? 封装，SQCSVA2R7BAT1A 能够实现更优的热管理和电气性能。此外，该产品符合 RoHS 标准，并通过 AEC-Q101 认证，适合汽车级应用。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统 (BMS) 和各种功率转换电路中。其高效的性能特别适合笔记本电脑、服务器、通信设备和消费类电子产品的电源管理模块。在汽车领域，它可用于电动车辆 (EV) 的逆变器和车载充电器设计中。
SQJH67EP, IRF7847PBF
