您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SQCSVA2R7BAT1A

SQCSVA2R7BAT1A 发布时间 时间:2025/5/30 12:01:17 查看 阅读:7

SQCSVA2R7BAT1A 是一款由 Vishay 公司生产的低电阻功率 MOSFET,采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)),适用于高效能开关和功率管理应用。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8,能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计方案。
  这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻、高效率和出色的热稳定性,使其非常适合于需要高频切换和高电流承载能力的应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:59A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:48nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:PowerPAK? 1212-8

特性

SQCSVA2R7BAT1A 提供了非常低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外,它具备高雪崩能量能力,能够在异常条件下保持稳定运行。TrenchFET? 技术确保了更快的开关速度和更低的开关损耗。该器件还支持多种保护功能,如过流保护和短路保护,从而提高了系统可靠性。
  由于采用了 PowerPAK? 封装,SQCSVA2R7BAT1A 能够实现更优的热管理和电气性能。此外,该产品符合 RoHS 标准,并通过 AEC-Q101 认证,适合汽车级应用。

应用

该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统 (BMS) 和各种功率转换电路中。其高效的性能特别适合笔记本电脑、服务器、通信设备和消费类电子产品的电源管理模块。在汽车领域,它可用于电动车辆 (EV) 的逆变器和车载充电器设计中。

替代型号

SQJH67EP, IRF7847PBF

SQCSVA2R7BAT1A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SQCSVA2R7BAT1A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SQCSVA2R7BAT1A参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 特色产品Microwave Multi-Layer Capacitors
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 电容2.7pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数A
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.030"(0.76mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称478-3494-6