IRFY140CM 时间：2025/7/15 18:08:58 阅读：7

IRFY140CM是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25℃下）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

IRFY140CM的主要特性包括其低导通电阻，这使得在高电流情况下能够显著降低功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
　　IRFY140CM采用先进的功率MOSFET技术制造，具备优异的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行。同时，其高雪崩能量能力确保了在过载或瞬态条件下仍能保持稳定工作。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。由于其TO-263封装设计，IRFY140CM可以方便地进行表面贴装安装，并提供优良的散热性能。
　　此外，IRFY140CM的高抗扰度和稳定的电气性能使其成为高性能电源系统的理想选择。

应用

IRFY140CM广泛应用于各种高功率电子设备中，例如同步整流器、DC-DC转换器、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）以及电动汽车充电系统等。此外，它也非常适合用作负载开关或作为功率因数校正（PFC）电路中的关键元件。
　　在工业自动化控制系统中，IRFY140CM可用于控制大功率负载，如加热元件、LED照明系统及各类电源模块。而在新能源领域，该MOSFET也常被用于太阳能逆变器、储能系统和电动工具等应用场景。