SQCSVA120JAT1A 时间：2025/7/3 20:26:32 阅读：6

SQCSVA120JAT1A 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点。它适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等场景。
　　该型号采用 Thermally Enhanced PowerPAK? SO-8 封装（TSSOP-8），具备出色的散热性能，能够有效降低热阻，提高系统整体效率。此外，SQCSVA120JAT1A 的设计符合 AEC-Q101 标准，使其适合汽车级应用环境。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：36A
　　导通电阻（典型值）：1.2mΩ
　　栅极电荷：59nC
　　输入电容：2740pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：Thermally Enhanced PowerPAK? SO-8

特性

SQCSVA120JAT1A 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，得益于其较低的栅极电荷和输出电荷，非常适合高频应用。
　　3. 符合 AEC-Q101 标准，保证了在严苛汽车环境下的可靠性。
　　4. 热增强型封装设计降低了热阻，提升了功率处理能力。
　　5. 无卤素材料及环保认证，满足 RoHS 和 REACH 要求。
　　这些特点使得 SQCSVA120JAT1A 成为高效能电源转换和电机驱动应用的理想选择。

应用

SQCSVA120JAT1A 广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子：包括车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及 DC-DC 转换器。
　　2. 工业设备：如工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）和可再生能源系统中的功率转换。
　　3. 消费类电子产品：用于笔记本电脑适配器、游戏机电源和 LED 驱动器。
　　4. 通信设备：基站功率模块、电信级电源管理解决方案。
　　其低导通电阻和高可靠性使其成为需要高效功率传输和严格温度控制的应用的最佳选择。