存储容量：2 Mbit (256 K × 8)
　　接口类型：SPI（四线制：SI, SO, SCK, CS）
　　最大时钟频率：40 MHz
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-TSSOP
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　待机电流：10 μA（典型值）
　　工作电流：5 mA（读写操作时，典型值）
　　写保护功能：硬件WP引脚支持

FM25H20-PG的核心技术基于铁电存储原理，其存储单元采用锆钛酸铅（PZT）材料作为介质层，在电场作用下产生稳定的极化状态，分别代表逻辑“0”和“1”。这种物理机制使得F-RAM兼具RAM级别的高速写入能力和非易失性存储特性，且无需像Flash那样进行擦除操作即可直接改写任意字节。这一特点极大地简化了软件设计流程，避免了复杂的页编程和块擦除管理逻辑，提升了系统的实时性和响应能力。
　　该芯片支持标准SPI模式0和模式3协议，兼容广泛使用的微控制器SPI接口，用户可轻松将其集成到现有系统中。数据在SCK上升沿锁存输入，在下降沿输出，确保信号同步稳定。片选CS用于启动和终止一次SPI事务，允许在同一总线上挂载多个SPI设备。SO引脚支持高阻态输出，便于多设备共享数据总线。
　　FM25H20-PG内置硬件写保护功能，通过WP引脚控制寄存器和存储阵列的写入权限。当WP拉低时，禁止所有写操作；拉高则允许写入。此功能有效防止因误操作或电源波动导致的关键数据被覆盖。同时，该器件无写入延迟，每个写命令完成后数据即永久保存，无需轮询状态寄存器是否就绪，从而释放CPU资源，提高系统整体效率。
　　在功耗方面，FM25H20-PG表现出优异的能效比。其工作电流仅为5mA左右，待机电流低至10μA，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。即使在频繁写入的情况下，也不会产生显著的热量累积，提升了系统可靠性。此外，F-RAM不依赖电荷存储，因此不受辐射影响，具有较强的抗干扰能力和稳定性，适用于高可靠性要求的工业控制和车载系统。
　　该芯片还具备出色的数据保持能力，在正常工作条件下可保证数据保存长达10年以上，且在整个生命周期内无需刷新操作。出厂时已进行全面测试，符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q100等车规级认证的部分型号可用于汽车电子领域。

FM25H20-PG广泛应用于需要高频写入、快速响应和高可靠性的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的实时数据记录，如PLC设备的状态日志、传感器采样值存储等，由于其无限写入寿命和即时写入特性，可完全替代传统EEPROM以消除磨损均衡算法的复杂性。
　　在医疗设备领域，例如病人监护仪、血糖仪或便携式诊断设备中，FM25H20-PG可用于保存患者测量数据、校准参数和设备配置信息，确保断电后数据不丢失，并支持快速开机恢复运行。其低功耗特性也契合便携设备的节能需求。
　　汽车电子系统中，该芯片适用于仪表盘信息存储、事件记录器（Event Data Recorder）、远程信息处理单元（Telematics）以及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的临时数据缓存。其宽温特性和抗振动性能满足严苛的车载环境要求。
　　在智能电表、燃气表等计量设备中，FM25H20-PG可用于记录用电量、抄表时间和异常事件，避免因频繁写入导致Flash寿命耗尽的问题。此外，在POS终端、打印机、条码扫描器等商业设备中，它也被用于保存交易日志、打印队列和设置参数，提升系统响应速度和稳定性。
　　由于其SPI接口简单易用，FM25H20-PG也常用于各类物联网节点设备中，作为边缘计算单元的本地数据缓冲区，配合MCU实现高效的数据采集与上报机制。

CY15B104QSN,ZMDI FMT25W256,ROHM BR25H200