时间：2025/5/31 1:13:23
阅读：8
SQCB9M821KAJME 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于功率转换、电机驱动以及负载开关等场景，能够有效提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为 LFPAK88，有助于提高散热性能并降低寄生电感的影响。这款 MOSFET 的设计使其能够在高频应用中保持优异的表现，同时具备强大的电流承载能力。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：36A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间（开启/关闭）：13ns / 7ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SQCB9M821KAJME 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频操作环境。
3. 强大的电流处理能力，满足高功率需求的应用。
4. 高温工作范围，确保在极端条件下的稳定性。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间并优化热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该 MOSFET 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 通信设备中的信号放大和调节电路。
6. 家用电器中的节能设计部分。
SQJE010N10S6
SQJC016N10S6
IPW71F100R0KSA1
