时间：2025/9/13 21:07:48
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PSMN2R2-40YSDX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchPlus?技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效率电源转换系统。PSMN2R2-40YSDX 采用8引脚DFN封装，具备优良的热性能和空间利用率，适合用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：8-DFN
PSMN2R2-40YSDX MOSFET的核心特性在于其极低的导通电阻和出色的热管理能力。该器件采用先进的TrenchPlus?技术，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其2.2mΩ的最大RDS(on)使得在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗，从而减少发热并提升整体性能。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，在25°C下可承受高达120A的连续漏极电流，非常适合用于高功率密度设计。其封装形式为8引脚DFN，具备良好的热传导性能，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持+10V或+12V驱动，兼容多种常见的MOSFET驱动电路。PSMN2R2-40YSDX 还具有良好的短路耐受能力，使其在高应力工作条件下仍能保持稳定运行。
PSMN2R2-40YSDX 广泛应用于各类高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电源适配器及服务器电源等。其高电流能力与低导通电阻特性，使其在需要高效能与小型化设计的应用场景中表现出色。此外，该器件也常用于工业自动化设备和高功率LED照明系统。
IPB013N04LC G | SQJA40EP | PSMN3R2-40YLC
