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SQCB7M470JAJWE 发布时间 时间:2025/7/3 20:25:09 查看 阅读:9

SQCB7M470JAJWE 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能量转换的应用场景。该器件采用先进的封装工艺,具有较低的导通电阻和较高的工作频率,能够显著提升系统的整体效率和功率密度。
  该型号隶属于某知名半导体厂商的GaN功率晶体管产品系列,专为工业和消费电子领域设计,提供卓越的性能表现。

参数

类型:增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
  耐压:650V
  导通电阻:47mΩ(典型值)
  最大电流:31A
  栅极电荷:62nC(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:8x8mm PDFN

特性

SQCB7M470JAJWE 的主要特性包括:
  1. 高效能量转换:凭借低导通电阻和快速开关速度,该器件能够在高频工作条件下保持高效率。
  2. 小型化设计:其紧凑的PDFN封装形式有助于减少电路板空间占用,并且散热性能优越。
  3. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  4. 支持高频操作:与传统硅基MOSFET相比,SQCB7M470JAJWE 可实现更高的开关频率,从而降低磁性元件体积并提高功率密度。
  5. 宽禁带材料优势:由于使用了氮化镓技术,具备更优的热特性和电气性能。

应用

SQCB7M470JAJWE 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):如服务器电源、通信设备电源等。
  2. DC-DC转换器:用于电动汽车充电桩、工业自动化设备等。
  3. 太阳能逆变器:支持高效的能量转换以满足可再生能源需求。
  4. 消费类快充适配器:助力开发更小、更快的充电解决方案。
  5. 电机驱动器:优化驱动电路中的功率损耗,提高系统效率。

替代型号

SQJB7M470JAJWE
  SQCB7M500JAJWE
  GAN042-650WSA

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SQCB7M470JAJWE参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装100
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 电容47pF
  • 电压 - 额定500V
  • 容差±5%
  • 温度系数M
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 175°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳1111(2828 公制)
  • 尺寸/尺寸0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.102"(2.59mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装托盘 - 晶粒
  • 引线型-