SQCB7M330FAJME 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,广泛应用于高频电源转换场景。该芯片采用了先进的封装技术,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性,能够显著提升系统的功率密度和能源转换效率。
型号:SQCB7M330FAJME
类型:GaN 功率晶体管
封装形式:LLLP10
最大漏源电压(Vds):650V
最大连续漏极电流(Id):33A
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
栅极-源极电压(Vgs):±8V
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
功耗:100W
SQCB7M330FAJME 具备卓越的电气性能和可靠性。
1. 高效的 GaN 技术使其在高频工作条件下表现出更低的能量损耗。
2. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了更小的传导损耗。
3. 快速开关能力允许更高的工作频率,从而减少磁性元件体积并优化整体设计。
4. 内置保护功能如过流保护和热关断机制提升了系统稳定性。
5. 良好的热管理特性支持长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代化工业及消费级电子产品中。
该器件适用于多种高性能电力电子应用领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),例如 PC 电源适配器和服务器电源。
2. 工业电机驱动与逆变器系统。
3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和车载充电器(OBC)。
4. 太阳能微逆变器及其他可再生能源相关设备。
5. USB-PD 快充模块以及其他便携式设备的高效充电解决方案。
SQCB7M330FAJME-A, SQCB7M330FAJME-B