SQCB7M2R7CAT1A 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型 GaN FET 技术,能够显著提高功率转换系统的效率和功率密度。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合自动化生产和紧凑型设计。
该芯片适用于需要高性能、低损耗的场景,例如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动器以及电信基础设施中的功率模块。其卓越的性能源于先进的材料特性和优化的电路设计,从而在高频工作条件下提供极低的导通电阻和快速的开关速度。
型号:SQCB7M2R7CAT1A
导通电阻(Rds(on)):2.7 mΩ
击穿电压(Vds):650 V
栅极驱动电压(Vgs):+6 V / -4 V
最大电流(Id):35 A
开关频率:高达 5 MHz
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247-4L
功耗:约 350 W(典型值)
热阻(Rth):0.28°C/W
SQCB7M2R7CAT1A 的主要特性包括:
- 极低的导通电阻,可减少传导损耗并提高系统效率。
- 高速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率,降低磁性元件体积。
- 出色的热稳定性,能够在高温环境下保持性能一致性。
- 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,提升可靠性。
- 使用氮化镓材料,具备比传统硅基 MOSFET 更高的电子迁移率和更低的寄生电容。
- 小型化设计,适合对空间要求苛刻的应用场景。
- 支持宽输入电压范围,适用于多种电源架构。
- 兼容现有 MOSFET 驱动器,便于升级现有设计。
SQCB7M2R7CAT1A 广泛应用于以下领域:
- 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于消费类电子产品和工业设备。
- 数据中心服务器电源和通信基站电源解决方案。
- 快速充电器和适配器设计,提供更高的功率密度和效率。
- 电动车辆(EV)车载充电器和逆变器模块。
- 工业电机驱动和机器人控制单元。
- 可再生能源发电系统中的功率调节装置,如太阳能微型逆变器。
- 医疗设备和测试测量仪器中的精密电源供应部分。
SQCB7M2R7CAT2A
SQCB7M2R7CAT3B
GXT650R27C
LMG3411R070