时间：2025/6/5 17:55:27
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SQCB7M240GAJWE 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，属于 SiC MOSFET 类型。该器件采用了先进的封装技术，能够提供卓越高频、高功率密度的应用场景。
这款芯片主要针对工业级和汽车级应用设计，具有高可靠性、低导通电阻以及快速开关速度的特点。其出色的电气性能使其成为电力电子系统中 DC-DC 转换器、逆变器和充电设备的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：240A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：130nC
反向恢复时间：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
SQCB7M240GAJWE 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（8mΩ），可以有效降低传导损耗。
2. 高速开关能力，支持高达 1MHz 的开关频率。
3. 内置过流保护功能，提升系统的可靠性和安全性。
4. 支持宽禁带半导体材料（SiC 和 GaN），使得器件能够在高温环境下保持高效运行。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车领域中的各种严苛条件。
6. 封装采用 TO-247-4L，便于散热并支持大功率应用。
7. 提供稳定的动态和静态性能，确保在不同负载情况下的高效表现。
SQCB7M240GAJWE 广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车的车载充电机 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器系统。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 数据中心服务器电源和通信电源。
5. 高频 AC-DC 和 DC-DC 变换器。
6. 快速充电桩和其他高功率密度电力转换设备。
SQCB7M240GAJWB, SQDB7M240GAJWE, STGD240G12W_DK
