时间：2025/5/31 1:11:48
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SQCB7M180FAJME 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 MOSFET 功率晶体管，采用 TOLL 封装形式。该器件属于 SuperFET III 系列，是一种 N 沫增强型功率 MOSFET，专为高效率、低导通损耗的应用而设计。它适用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景，例如服务器、电信设备以及 DC-DC 转换器等应用。
型号：SQCB7M180FAJME
封装：TOLL
VDS（漏源电压）：180V
RDS(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：89A
Qg（总栅极电荷）：64nC
EAS（雪崩能量）：275mJ
fSW（推荐开关频率）：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SQCB7M180FAJME 具有非常低的导通电阻 RDS(on)，仅为 3.5mΩ（在 VGS=10V 时），这有助于减少导通状态下的功耗，从而提高系统效率。此外，该器件采用了先进的 SuperFET III 技术，能够显著降低开关损耗并提供更高的能效表现。
其优化的 Qg 和 EAS 参数使其非常适合高频开关应用，并具备强大的抗雪崩能力，确保在异常情况下依然可靠运行。同时，TOLL 封装形式具有出色的散热性能，支持更紧凑的设计和更高功率密度的应用。
另外，SQCB7M180FAJME 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，适应各种极端环境条件。
SQCB7M180FAJME 主要应用于需要高性能功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 服务器和电信电源
3. 工业电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 开关模式电源（SMPS）
6. ORing 控制电路
7. 电池管理系统（BMS）
其低导通电阻和优秀的开关性能使该器件成为许多高功率密度和高效率需求的理想选择。
SQJB7M180FAJME
