PHP20N06T是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由安森美半导体(ON Semiconductor)制造。这款MOSFET具有低导通电阻、高功率处理能力和良好的热稳定性,适用于多种高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的平面工艺制造,具备较高的耐用性和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):20A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):约22mΩ(典型值,具体取决于测试条件)
最大功耗(Ptot):100W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220、D2PAK等
栅极电压(Vgs):±20V
漏源击穿电压(BVDSS):60V
漏极电流(连续):20A
热阻(Rth):结到壳约1.5°C/W,结到环境约62.5°C/W
PHP20N06T的核心特性之一是其较低的导通电阻(Rds(on)),这使得该器件在导通状态下具有较小的功率损耗,从而提高整体系统的效率。其60V的漏源击穿电压使其适用于中等电压范围的功率应用,如DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统等。此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力,在20A的漏极电流下仍能保持稳定的性能。该器件的封装设计具有良好的散热性能,能够在较高温度环境下稳定工作。
另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C),这使得PHP20N06T能够在极端环境条件下正常运行,适用于汽车电子、工业自动化、通信设备等对环境适应性要求较高的领域。此外,该MOSFET的栅极电压范围为±20V,允许较宽的驱动电压范围,提高了其在不同控制电路中的兼容性。
PHP20N06T还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了器件在突发负载变化或异常工作条件下的稳定性。其封装形式(如TO-220或D2PAK)便于安装和散热管理,适合在各种电源系统中使用。
PHP20N06T广泛应用于各种需要高效功率控制和转换的电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、电源管理模块、工业自动化设备、汽车电子系统(如车载充电器、电机控制单元)以及UPS(不间断电源)等。由于其高可靠性和热稳定性,它也常用于需要长时间连续运行的工业和通信设备中。
IRFZ44N、STP20NF06、FDP20N06、FDN304P、SiHH20N06