SQCB7M100JAJME 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该芯片具备出色的热性能和低导通电阻特性,能够显著提升功率转换系统的效率与可靠性。
其封装形式适合表面贴装技术,并且符合工业级工作温度范围的要求。凭借碳化硅材料的独特优势,这款 MOSFET 在电动汽车、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等领域有着广泛的应用前景。
额定电压:1200V
额定电流:60A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:40ns
工作温度范围:-55℃ to 175℃
SQCB7M100JAJME 的主要特点是采用先进的碳化硅半导体技术,相比传统的硅基 MOSFET,它提供了更高的开关速度和更低的开关损耗。
此外,该器件具有以下显著优点:
1. 高耐压能力:1200V 的额定电压使其适用于高压环境下的各种功率转换场景。
2. 低导通电阻:仅 3.5mΩ 的导通电阻可大幅减少传导损耗。
3. 快速开关性能:由于其较低的栅极电荷和反向恢复时间,使得它可以支持高频操作,从而减小系统中的无源元件尺寸。
4. 高温适应性:能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内稳定运行,非常适合高温或恶劣环境下的应用。
5. 热性能优异:碳化硅材料本身具备优秀的导热性和散热能力,这有助于提高整个系统的可靠性。
SQCB7M100JAJME 广泛应用于需要高效功率转换的领域,例如:
1. 电动汽车牵引逆变器:用于驱动电机控制,提供高效的功率输出。
2. 太阳能逆变器:在光伏系统中将直流电转换为交流电,同时保持高效率。
3. 不间断电源(UPS):保障关键设备在电力中断时的持续供电。
4. 工业电机驱动:适用于工业自动化设备中的高效电机控制。
5. 充电桩:为电动车充电站提供快速充电解决方案。
SQCB7M100GAJME, SQCB7M100HAJME