类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：18nC
　　功耗（PD）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

SQ7415EN-T1-GE3的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)）为15mΩ，在VGS=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用TrenchFET技术，使得在相同尺寸下实现更高的电流承载能力和更低的开关损耗。此外，该MOSFET具有快速开关能力，栅极电荷（Qg）仅为18nC，有助于提高开关频率并减少开关过程中的能量损失。
　　另一个重要特性是其优异的热性能。PowerPAK SO-8封装采用无引线设计，有效降低了封装热阻，提高了器件在高电流工作条件下的散热能力。这使得SQ7415EN-T1-GE3能够在高温环境下稳定工作，确保系统长期运行的可靠性。
　　此外，该MOSFET的连续漏极电流为20A，在高功率应用中表现出色，适用于各种电源转换器和负载管理电路。栅源电压范围为±20V，提供良好的栅极控制能力，同时具备过压保护能力。工作温度范围为-55°C至150°C，适合在各种环境条件下使用。

SQ7415EN-T1-GE3适用于多种电源管理和功率电子应用。最常见的应用之一是DC-DC转换器，特别是在同步整流降压（Buck）转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性能够显著提高转换效率，减少热量产生。此外，该MOSFET常用于负载开关电路，用于控制电源路径或管理电池供电系统中的负载切换。
　　在电池管理系统中，SQ7415EN-T1-GE3可用于电池充放电控制，其高电流能力和低损耗特性有助于提高系统的能效和可靠性。此外，该器件也适用于电机驱动电路、LED照明驱动器以及电源管理模块中的开关元件。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，SQ7415EN-T1-GE3也广泛应用于工业自动化设备、消费类电子产品、通信设备和汽车电子系统。在这些应用中，该MOSFET能够提供稳定的开关性能，并在高负载条件下保持较低的温升，确保系统的稳定运行。

Si7415DN-T1-GE3, FDS6615A, TPS6615A, AO4415