类型：双向TVS二极管
　　反向工作电压（VRWM）：30V
　　击穿电压（VBR）：33.3V - 36.8V
　　最大钳位电压（VC）：48.4V @ 测试电流IPP
　　峰值脉冲电流（IPP）：73.5A
　　峰值脉冲功率（PPEAK）：3000W（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：≤10μA
　　电容值（Cj）：典型值约为45pF（@1MHz，0V偏置）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：DO-214AB（SMC）

RM30TPH-H作为一款高性能的瞬态电压抑制二极管，其核心优势在于强大的瞬态能量吸收能力和稳定的电气性能。该器件能够承受高达3000W的峰值脉冲功率（基于8/20μs电流波形测试），这使其在面对突发性的大能量瞬变事件时仍能保持可靠工作，不会因过热或击穿而失效。其双向导通特性意味着无论瞬态电压极性如何变化，都能提供对称的保护作用，特别适用于交流信号线或可能承受反向电压的直流线路中。这种对称保护机制确保了在复杂电磁环境中系统的稳定性与安全性。
　　该TVS二极管的击穿电压范围被精确控制在33.3V至36.8V之间，保证了在正常工作电压30V下几乎无导通现象，同时一旦出现超过阈值的瞬态电压，即可迅速进入雪崩击穿状态，将电压钳制在安全范围内（最大钳位电压为48.4V）。这一快速响应过程通常在纳秒级别完成，远快于传统保险丝或热敏电阻等被动保护元件，从而有效防止敏感IC（如微控制器、电源管理芯片、接口收发器等）遭受高压冲击。
　　此外，RM30TPH-H具有较低的结电容（典型值约45pF），这对于高频信号线路的保护尤为重要，因为它不会显著影响信号完整性或引入额外的噪声干扰。低漏电流（≤10μA）也减少了待机状态下的功耗，提升了整体系统效率。DO-214AB（SMC）封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度和焊接可靠性，适用于回流焊和波峰焊等多种贴片工艺。综合来看，RM30TPH-H在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是工业、通信和消费类电子领域中理想的过压保护解决方案之一。

RM30TPH-H广泛应用于各类需要瞬态过电压保护的电子系统中。常见使用场景包括开关模式电源（SMPS）输入端的浪涌保护，用于吸收来自电网波动或雷击感应产生的高压尖峰；在直流电源适配器、电池供电设备以及汽车电子系统中，该器件可有效防止由于负载突变或反接引起的电压瞬变。此外，在通信接口保护方面，如RS-232、RS-485、CAN总线、以太网端口等，RM30TPH-H凭借其低电容和快速响应特性，能够在不影响数据传输质量的前提下提供可靠的ESD和EFT（电快速瞬变脉冲群）防护。
　　在工业控制系统中，传感器信号线、PLC输入输出模块常暴露于复杂的电磁环境，容易受到外部干扰或内部电感元件断开时产生的反电动势影响，RM30TPH-H可用于这些节点的前端保护，提升系统抗干扰能力和长期运行稳定性。消费类电子产品如智能电视、路由器、智能家居控制面板等也常集成此类TVS器件，以满足日益严格的EMC认证要求。在汽车电子领域，尽管该型号非AEC-Q101认证器件，但在部分非关键辅助系统中仍可用于12V或24V电源轨的初级保护。
　　此外，RM30TPH-H还可用于LED驱动电源、太阳能逆变器、医疗设备电源模块等对可靠性要求较高的场合。其表面贴装封装便于PCB布局优化，节省空间的同时提高了组装效率。总之，凡是存在瞬态电压风险的应用场景，RM30TPH-H都可作为一种经济高效且技术成熟的保护方案加以选用。

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