SQ606 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及 DC-DC 转换器等电路中。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高可靠性以及优良的热稳定性,适合在中低功率应用中使用。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:-60 V
栅源电压 Vgs:±20 V
连续漏极电流 Id(@25°C):-6.5 A
导通电阻 Rds(on):38 mΩ @ Vgs = -10 V,42 mΩ @ Vgs = -4.5 V
功率耗散(Pd):2.5 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOT-223
SQ606 的主要特性之一是其较低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在导通状态下具有较小的功率损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该器件具有较高的耐压能力,漏源电压可达到 -60 V,适用于多种中压电源管理应用。SQ606 的栅极驱动电压范围较宽,支持 -4.5 V 至 -10 V 的驱动电压,便于与多种控制电路(如微控制器或 PWM 控制器)兼容。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和过载能力,能够在高温度环境下稳定工作。
在封装方面,SQ606 采用 SOT-223 小型贴片封装,体积小巧,便于 PCB 布局和散热设计。该封装形式也支持自动贴片工艺,适用于大批量生产。此外,SQ606 还具有良好的 ESD(静电放电)保护能力,增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性和稳定性。
SQ606 适用于多种电源管理和功率控制应用。常见应用场景包括 DC-DC 转换器中的高边开关、电池供电设备的电源控制、负载开关电路、热插拔系统以及工业自动化设备中的电机驱动控制等。由于其良好的导通性能和耐压能力,SQ606 也可用于同步整流、电源反向保护电路以及高效率的电源模块设计中。此外,该器件在汽车电子、消费类电子产品和通信设备中也有广泛应用。
Si4435DY, IRML2803, AO4406A, FDN340P