时间：2025/6/27 10:46:50
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SQ4961EY-T1-GE3是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，主要用于高频开关和功率转换应用。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高效率的应用场景中提供卓越的性能表现。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理模块、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
SQ4961EY-T1-GE3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，能够减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提高了在异常情况下的可靠性。
4. 具备出色的热稳定性和耐用性，适合高温环境下运行。
5. 符合RoHS标准，环保且支持表面贴装技术（SMT）。
6. 提供较高的电流承载能力，适用于大功率应用场合。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或高端开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统（BMS）和逆变器模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换设备。
SQ4961EY-T1-GA3, IRFZ44N, FDP5500
