时间：2025/5/29 0:39:23
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SQ4483EEY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。
其封装形式为 TSOT23-6L 封装，能够有效节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.7A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：12nC（最大值）
输入电容（Ciss）：205pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SQ4483EEY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 小型 TSOT23-6L 封装，有助于减少 PCB 占用空间。
4. 具备出色的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作条件。
SQ4483EEY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的 DC-DC 转换器和负载开关。
2. 工业设备中的电机驱动和电池保护电路。
3. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统。
4. 便携式电子产品的充电器和适配器。
5. 各种需要高效功率转换的应用场景。
SQ4482EYT1-GE3, SQJ696EP-T1-GE3
