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SQ4401DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/4 0:25:30 查看 阅读:9

SQ4401DY-T1-GE3 是一款基于硅基材料的肖特基二极管,广泛应用于高频开关电路、电源管理模块以及逆变器等场景。该元器件具有较低的正向压降和快速的反向恢复时间,非常适合需要高效能量转换和高频工作的电子设备。
  其封装形式为 DO-214AC(SMA),具备良好的散热性能和机械稳定性,适合表面贴装技术(SMT)工艺。

参数

型号:SQ4401DY-T1-GE3
  最大正向电流(If):1A
  最大反向电压(Vr):40V
  正向电压降(Vf,典型值):0.45V @ 1A
  反向恢复时间(trr):4ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  结电容(Cj):15pF(典型值)@ 0V
  热阻(RthJA):125°C/W

特性

SQ4401DY-T1-GE3 的主要特性包括低正向压降,可显著减少功率损耗并提高系统效率;快速反向恢复时间使其能够适应高频应用环境;同时,其高可靠性和宽温区设计也确保了在恶劣条件下的稳定运行。
  此外,由于采用了肖特基势垒结构,该器件避免了少数载流子存储效应,从而大幅降低了开关损耗,并且拥有优异的抗浪涌能力。

应用

这款肖特基二极管适用于多种应用场景,例如开关电源中的整流与续流路径、太阳能逆变器中的高频同步整流、LED 驱动电路保护以及便携式电子设备中的电池充电管理模块等。
  在实际使用中,SQ4401DY-T1-GE3 常被选作高频 DC-DC 转换器的核心元件,也可用于电机驱动电路中的自由轮二极管角色。

替代型号

SQ4401, 1SS391AY, RB40TQ080

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SQ4401DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 10.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs115nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4250pF @ 20V
  • 功率 - 最大6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)